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2SB644R

更新时间： 2024-02-03 03:21:24
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 67K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71

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2SB644R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.75最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：170JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SB644R 数据手册

 浏览型号2SB644R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB644R的Datasheet PDF文件第3页 
Transistor  
2SB0643, 2SB0644 (2SB643, 2SB644)  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-power general amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD0638 (2SD638) and 2SD0639 (2SD639)  
6.9 0.1  
2.5 0.1  
1.0  
1.5  
1.5 R0.9  
Features  
R0.9  
I
G
M type package allowing easy automatic and manual insertion as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.  
R0.7  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
0.85  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–30  
Unit  
0.55 0.1  
0.45 0.05  
Collector to  
2SB0643  
2SB0644  
2SB0643  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
–60  
3
2
1
–25  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB0644  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–50  
2.5  
2.5  
VEBO  
ICP  
IC  
–7  
V
A
–1  
1:Base  
– 0.5  
600  
A
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
mW  
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–1  
Unit  
nA  
VCB = –20V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = –20V, IB = 0  
µA  
Collector to base  
voltage  
2SB0643  
2SB0644  
2SB0643  
2SB0644  
–30  
–60  
–25  
–50  
–7  
VCBO  
IC = –10µA, IE = 0  
V
Collector to emitter  
voltage  
VCEO  
VEBO  
IC = –2mA, IB = 0  
V
V
Emitter to base voltage  
IE = –10µA, IC = 0  
*1  
hFE1  
hFE2  
VCE = –10V, IC = –150mA*2  
VCE = –10V, IC = –500mA*2  
IC = –300mA, IB = –30mA*2  
85  
340  
– 0.6  
15  
Forward current transfer ratio  
40  
90  
– 0.35  
200  
6
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = –10V, IE = 10mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE1  
Rank  
hFE1  
Q
R
S
85 ~ 170  
120 ~ 240  
170 ~ 340  
Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB644S ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
2SB645 SAVANTIC

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2SB645 JMNIC

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2SB645O ISC

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 		Transistor
2SB645R ISC

获取价格

 		Transistor
2SB646 HITACHI

获取价格

 		LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SD666/A
2SB646A HITACHI

获取价格

 		LOW FREQUENCY HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Complementary pair with 2SD666/A
2SB646A-B HITACHI

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), PNP

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