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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.46 |
| Is Samacsys： | N | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB646-C | RENESAS |
获取价格 |
SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SB646-D | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), PNP |
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| 2SB646RF | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SB646RR | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SB646RR | RENESAS |
获取价格 |
50 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB646TZ | RENESAS |
获取价格 |
50mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SB646TZ | HITACHI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| 2SB647 | TRSYS |
获取价格 |
Plastic-Encapsulated Transistors |
|
| 2SB647 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
|
| 2SB647 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
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