2SB644

更新时间： 2024-01-29 12:09:34

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
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描述
For low-frequency general amplification

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2SB644 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.75	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	170	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SB644 数据手册

Transistors

2SB0643, 2SB0644 (2SB643, 2SB644)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency general amplification

Unit: mm

2.5 0.1

6.9 0.1

(1.0)

(1.5)

■ Features

(1.5)

• M type package allowing easy automatic and manual insertion as

well as stand-alone fixing to the printed circuit board.

R 0.9

R 0.7

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−30

Unit

2SB0643

2SB0644

2SB0643

2SB0644

V_CBO

Collector-base voltage

(Emitter open)

(0.85)

0.45 0.05

−60

0.55 0.1

V_CEO

−25

Collector-emitter voltage

(Base open)

−50

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−7

1: Base

2: Collector

3: Emitter

(2.5) (2.5)

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

− 0.5

−1

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

M-A1 Package

600

°C

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−30

−60

−25

−50

−7

Typ

Max

Unit

2SB0643

2SB0644

2SB0643

2SB0644

V_CBO

I_C= −10 µA, I_E= 0

Collector-base voltage

(Emitter open)

V_CEO

I_C= −2 mA, I_B= 0

Collector-emitter voltage

(Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-Emitter cutoff current (Base open)

V_EBO

I_CBO

I_CEO

I_E= −10 µA, I_C= 0

µA



V_CB= −20 V, I_E= 0

− 0.1

−1

V_CE= −20 V, I_B= 0

Forward current transfer ratio ^*

h_FE1

h_FE2

V_CE= −10 V, I_C= −10 mA

V_CE= −10 V, I_C= −500 mA

340



Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= −300 mA, I_B= −30 mA

− 0.35 − 0.6

Transition frequency

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classification

Rank

h_FE1

85 to 170

120 to 240

170 to 340

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: January 2003

SJC00046CED

12 3

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