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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.48 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 400 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB642 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer type(Silicon PNP epitaxial planer type) |
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| 2SB642 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer type |
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| 2SB642Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
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| 2SB642R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
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| 2SB642S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71 |
|
| 2SB643 | PANASONIC |
获取价格 |
For low-frequency general amplification |
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| 2SB643 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planer type |
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| 2SB643Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71 |
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| 2SB643R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71 |
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| 2SB643S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71 |
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