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2SB637(K)TZ

更新时间: 2024-01-14 09:56:25
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 100K
描述
100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

2SB637(K)TZ 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.48Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):160
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SB637(K)TZ 数据手册

  

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