5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 6 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 5 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB633F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 85V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SB633P | SANYO |
获取价格 |
85V/6A,AF 35 to 45W Output Applications |
|
| 2SB633PD | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SB633PE | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SB633PF | ETC |
获取价格 |
BJT |
|
| 2SB634 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistor |
|
| 2SB634 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB637(K) | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
| 2SB637(K) | HITACHI |
获取价格 |
100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
|
| 2SB637(K)RF | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
