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2SB633E

更新时间: 2024-02-20 22:20:53
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统懋 - MOSPEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 128K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 85V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB

2SB633E 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.83最大集电极电流 (IC):6 A
集电极-发射极最大电压:85 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):160JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):15 MHz

2SB633E 数据手册

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A

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