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2SB1672

更新时间： 2024-11-13 04:25:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 54K
描述
Power Transistor (-80V, -7A)

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2SB1672 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：7 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：100
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：30 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO标称过渡频率 (fT)：12 MHz
Base Number Matches：1

2SB1672 数据手册

  
2SB1672  
Transistors  
Power Transistor (−80V, −7A)  
2SB1672  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Low saturation voltage.  
CE(sat)  
C
B
(Typ. V  
= −0.3V at I / I =−4A / −0.4A)  
10.0  
4.5  
2.8  
3.2  
φ
2) Excellent DC current gain characteristics.  
3) Pc = 30W (Tc = 25°C).  
4) Wide SOA (safe operating area).  
5) Complements the 2SD2611.  
1.2  
1.3  
0.8  
0.75  
2.54  
2.54  
2.6  
(
) (  
)
(
2
3
1
)
(
)
(1) Base Gate  
( ) ( )  
( )  
1 2  
3
(
)
)
(2) Collector Drain  
(3) Emitter Source  
(
ROHM : TO-220FN  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−80  
−80  
−5  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
A(DC)  
A(Pulse)  
W
−7  
I
C
Collector current  
−10  
*
2
Collector power dissipation  
P
C
W(Tc=25°C)  
°C  
30  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
Tstg  
−55 ∼ +150  
°C  
Single pulse, Pw=100ms  
*
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SB1672  
Package  
TO-220FN  
hFE  
EF  
Code  
−
500  
Basic ordering unit (pieces)  
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−80  
−80  
−5  
−
−
−
−
100  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
12  
200  
−
−
−
−10  
−10  
−1  
−1.5  
320  
−
V
V
I
I
I
C
C
E
=
=
=
−50µA  
−1mA  
−50µA  
V
I
CBO  
µA  
µA  
V
V
V
CB  
=
=
−80V  
−4V  
Emitter cutoff current  
I
EBO  
EB  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
CE(sat)  
I
I
C/I  
B
=
=
−4A/−0.4A  
−4A/−0.4A  
∗
∗
V
BE(sat)  
V
C/I  
B
hFE  
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/IC = −5V/−1A  
CE  
Transition frequency  
f
T
=
−5V , I  
E
=
E
0.5A , f = 5MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
−
CB  
=
−10V , I  
=
0A , f = 1MHz  
Measured using pulse current  
∗
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1672F ROHM

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 		暂无描述
2SB1674 ROHM

获取价格

 		For Motor / Relay drive (-120V, -6A)
2SB1675 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220FN
2SB1676 ETC

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2SB1678 PANASONIC

获取价格

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2SB1678P ETC

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2SB1679G PANASONIC

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