2SB1674

更新时间： 2024-09-25 00:00:43

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体驱动器继电器晶体管功率双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
For Motor / Relay drive (-120V, -6A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1674 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220FN	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	6 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	2000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	12 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1674 数据手册

2SB1674

Transistors

For Motor / Relay drive (−120V, −6A)

2SB1674

zStructure

zExternal dimensions (Unit : mm)

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

(Darlington connection)

TO-220FN

4.5

2.8

10.0

φ3.2

zFeatures

1) Darlington connection, high h^FE.

2) Resistor inbetween base-emitter.

3) Built-in damper diode.

1.2

1.3

0.8

2.54

(1)Base

2.54

0.75

2.6

(2)Collector

(3)Emitter

( ) ( ) ( )

1 2 3

zApplications

Relay drive

zComplements

PNP

NPN

2SD2615

Motor drive

2SB1674

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

zPackaging specifications and h^FE

Package

Taping

−

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Type

Code

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

VCBO

VCEO

VEBO

−

120

hFE

Basic ordering unit (pieces)

500

−

2SB1674

Collector current

∗1

Pulse

−

zEquivalent circuit

W(Ta=25°C)

W(Tc=25°C)

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

∗1 t=100ms

150

°C

Collector

Base

Tstg

−55 to +150

=5.0KΩ

=300Ω

Emitter

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Min. Typ. Max. Unit

Conditions

Collector-emitter breakdown voltage

Collector-base breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BVCEO

BV^CBO

BVEBO

−120

−7

−

=−5mA

=−50µA

=−5mA

CBO

EBO

CE(sat)

−100 µA

CB=−120V

EB=−5V

Emitter cutoff current

−3

−1.5

20k

−

∗1

∗2

Collector-emitter saturation voltage

DC current gain

IC/IB=−3A/−6mA

−

MHz

CE=−3V, I

=−2A

=0.5A, f=10MHz

=0A, f=1MHz

Transition frequency

−

CE=−5V, I

CB=−10V, I

Collector output capacitance

∗1 Pulse test ∗2 Transition frequency of the device

Cob

−

1/1

中文翻译

下载PDF

与2SB1674相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1675	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-220FN
2SB1676	ETC	获取价格
2SB1678	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1678P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-89
2SB1678Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-89
2SB1678R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-89
2SB1679	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency amplification)
2SB1679G	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
2SB1679GR	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
2SB1679R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 10V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| SC-70

与2SB1674相关文章

SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

14
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

81
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

72

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1674

2SB1674 技术参数

2SB1674 数据手册

与2SB1674相关器件

与2SB1674相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1674

2SB1674 技术参数

2SB1674 数据手册

与2SB1674相关器件

与2SB1674相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？