2SB1669-S

更新时间： 2024-11-12 22:19:47

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	139K
描述
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING

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2SB1669-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FIN CUT, MP-25, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	5 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1669-S 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER TRANSISTOR

2SB1669

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

FOR HIGH-SPEED SWITCHING

ORDERING INFORMATION

The 2SB1669 is a power transistor that can be directly driven from

the output of an IC. This transistor is ideal for OA and FA equipment

such as motor and solenoid drivers.

Part No.

2SB1669

Package

TO-220AB

TO-262

2SB1669-S

2SB1669-Z

FEATURES

TO-220SMD

• High DC current amplifier rate

h^FE≥ 100 (V^CE= −5.0 V, I^C= −0.5 A)

• Z type available for surface mounting supported prodcuts

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

Conditions

Ratings

−60

−7.0

−3.0

−6.0

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (pulse)

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)

PW ≤ 10 ms,

duty cycle ≤ 50%

Base current (DC)

I^B(DC)

P^T

−1.0

Total power dissipation

(T^C= 25°C)

(T^A= 25°C)

°C

1.5

Junction temperature

Storage temperature

T^j

150

T^stg

−55 to +150

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D15410EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published July 2002 N CP(K)

Printed in Japan

2002

1998

12 3 4 5 6

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与2SB1669-S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1669-Z	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
2SB1672	ROHM	获取价格	Power Transistor (-80V, -7A)
2SB1672F	ROHM	获取价格	暂无描述
2SB1674	ROHM	获取价格	For Motor / Relay drive (-120V, -6A)
2SB1675	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-220FN
2SB1676	ETC	获取价格
2SB1678	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1678P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-89
2SB1678Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-89
2SB1678R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-89

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