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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JEDEC-95代码： | TO-126 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1423/R | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| 2SB1423P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
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| 2SB1423Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
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| 2SB1423R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
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| 2SB1424 | UTC |
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LOW VCE(SAT) TRANSISTOR |
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| 2SB1424 | ROHM |
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Low Vce(sat) Transistor (-20V, -3A) |
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| 2SB1424 | HTSEMI |
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TRANSISTOR(PNP) |
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| 2SB1424 | KEXIN |
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Low VCE(sat) Transistor |
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| 2SB1424 | SECOS |
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PNP Silicon Medium Power Transistor |
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| 2SB1424 | TYSEMI |
获取价格 |
Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.2V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.1A) Excellent DC current gain char |
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