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2SB1424

更新时间: 2024-11-22 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 103K
描述
Low Vce(sat) Transistor (-20V, -3A)

2SB1424 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.2外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):82
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SB1424 数据手册

 浏览型号2SB1424的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1424的Datasheet PDF文件第3页 
Transistors  
Low VCE(sat) Transistor (*20V, *3A)  
2SB1424 / 2SA1585S  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = *0.2V (Typ.)  
(IC /IB = *2A / *0.1A)  
2) Excellent DC current gain charac-  
teristics.  
3) Complements the 2SD2150 /  
2SC4115S.  
FStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)  
(96-596-A74)  
201  

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