2SB1424T100Q

更新时间： 2024-11-23 12:52:39

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管放大器
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描述
Low VCE(sat) Transistor (â20V, â3A)

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2SB1424T100Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	MPT3, SC-62, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	2 W
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	240 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SB1424T100Q 数据手册

2SB1424 / 2SA1585S

Transistors

Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)

2SB1424 / 2SA1585S

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low V^CE(sat).

2SB1424

2SA1585S

V^CE(sat)= −0.2V (Typ.)

(I^C/IB = −2A / −0.1A)

2) Excellent DC current gain characteristics.

0.2

2 0.2

0.2

4.5

−0.1

1.5 0.1

1.6 0.1

3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S.

0.15

0.45

−0.05

(1) (2) (3)

0.1

0.4

−0.05

0.5 0.1

3.0 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.4 0.1

1.5 0.1

0.15

0.4

zStructure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

0.45

2.5

0.5

−0.05

−0.1

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

(1) (2) (3)

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

(1) Emitter

ROHM : SPT

EIAJ : SC-72

(2) Collector

(3) Base

Abbreviated symbol: AE

∗

Denotes hFE

∗

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

−20

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

VCBO

VCEO

VEBO

−20

−6

2SB1424

−3

Collector current

2SA1585S

−2

−5

A(Pulse)

∗

0.5

2SB1424

Collector power

dissipation

2SA1585S

0.4

Junction temperature

Storage temperature

Single pulse Pw=10ms

150

°C

Tstg

−55 to 150

∗

Rev.A

1/3

12 3 4

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