5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92L |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 270 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1425T103/SU | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO |
|
| 2SB1425T103/U | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO |
|
| 2SB1425T103E | ROHM |
获取价格 |
2000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L, TO-92L, 3 PIN |
|
| 2SB1425T103U | ROHM |
获取价格 |
2000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L, TO-92L, 3 PIN |
|
| 2SB1425U | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SB1426 | DCCOM |
获取价格 |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
|
| 2SB1426 | SECOS |
获取价格 |
PNP Plastic Encapsulated Transistor |
|
| 2SB1426 | CJ |
获取价格 |
TO-92 |
|
| 2SB1426 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-92 |
|
| 2SB1426/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
