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2SB1426

更新时间： 2024-11-23 07:30:07
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SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 79K
描述
PNP Plastic Encapsulated Transistor

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2SB1426 数据手册

  
2SB1426  
-3A , -20V  
PNP Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
TO-92  
FEATURES  
General Purpose Switching and Amplification  
G
H
Emitter  
Base  
Collector  
J
A
D
CLASSIFICATION OF hFE  
Millimeter  
REF.  
Min.  
4.40  
4.30  
12.70  
3.30  
0.36  
0.36  
Max.  
4.70  
4.70  
-
3.81  
0.56  
0.51  
B
A
B
C
D
E
F
Product-Rank 2SB1426-P 2SB1426-Q  
2SB1426-R  
180~390  
K
Range 82~180 120~270  
G
H
J
1.27 TYP.  
E
C
F
1.10  
2.42  
0.36  
-
2.66  
0.76  
K
Collector  
  
  
Base  
  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector to Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-20  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
-20  
Emitter to Base Voltage  
-6  
-3  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
A
PC  
0.75  
W
Thermal Resistance From Junction to Ambient  
Junction, Storage Temperature  
RθJA  
TJ, TSTG  
166  
°C / W  
°C  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test condition  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-20  
-20  
-6  
-
-
-
-
V
V
IC= -0.05mA, IE=0  
IC= -1mA, IB=0  
-
-
-
V
IE= -0.05mA, IC=0  
VCB= -20V, IE=0  
-
-
-0.1  
-0.1  
390  
-0.5  
-
μA  
μA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
VEB= -5V, IC=0  
DC Current Gain  
hFE  
82  
-
-
VCE= -2V, IC= -0.1A  
IC= -2A, IB= -0.1A  
VCB= -10V, IE=0, f=1MHz  
*
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Collector-Base Capacitance  
VCE(sat)  
-
V
Ccb  
fT  
-
35  
240  
pF  
Transition Frequency  
*Pulse test  
-
-
MHz VCE= -2V, IC= -0.5A, f=100MHz  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
14-Feb-2011 Rev. A  
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与2SB1426相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1426/PQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SB1426/PR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SB1426/Q ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SB1426/QR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SB1426P ROHM

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 		3000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB1426Q ETC

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 		3000mA, 20V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SB1426T91/PR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SB1426T91/Q ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2SB1426T91/QR ROHM

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