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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1427
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2SB1427

更新时间： 2024-09-18 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 62K
描述
Power transistor (−20V, −2A)

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2SB1427 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SB1427 数据手册

 浏览型号2SB1427的Datasheet PDF文件第2页 
2SB1427  
Transistors  
Power transistor (−20V, −2A)  
2SB1427  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Low saturation voltage,  
typically VCE(sat) = −0.5V at IC/IB = −1A / −50mA.  
2) Excellent DC current gain characteristics.  
4.0  
2.5  
1.0  
0.5  
( )  
1
(
)
2
3
(
)
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−20  
−20  
−6  
V
V
V
−2  
−3  
0.5  
A(DC)  
A(Pulse)  
Collector current  
IC  
∗1  
∗2  
Collector power dissipation  
P
C
W
2
Junction temperature  
Storage temperature  
∗1 Single pulse, Pw=10ms  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 ~ +150  
∗2 When mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.  
!Packaging specifications and hFE  
Type  
2SB1427  
MPT3  
E
Package  
hFE  
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
BJ  
∗
T100  
1000  
∗Denotes hFE  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−20  
−20  
−6  
−
−
−
390  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
90  
30  
−
−
−
−0.5  
−0.5  
−0.5  
820  
−
V
V
I
I
I
C
C
E
= −50µA  
= −1mA  
= −50µA  
CB = −16V  
EB = −5V  
V
I
CBO  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
I
EBO  
V
CE(sat)  
I
C/I  
B
= −1A/−500mA  
= −6V/−0.5A  
∗
hFE  
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/I  
C
Transition frequency  
f
T
CE = −10V , I  
CB = −10V , I  
E
= 10mA , f= 30MHz  
= 0A , f = 1MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
E
∗
Measured using pulse current.  
12

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