5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB1427T100/SE
2SB1427T100/SE PDF预览

2SB1427T100/SE

更新时间： 2024-11-23 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
2A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB1427T100/SE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：90 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

2SB1427T100/SE 数据手册

 浏览型号2SB1427T100/SE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1427T100/SE的Datasheet PDF文件第3页 
2SB1427  
Transistors  
Power transistor (−20V, −2A)  
2SB1427  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Low saturation voltage,  
4.0  
2.5  
VCE : Max. −0.5V at IC/IB = −1A / −50mA.  
2) Excellent DC current gain characteristics.  
1.0  
0.5  
(
)
1
(
)
2
3
(
)
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−20  
−20  
−6  
V
V
V
−2  
−3  
0.5  
A(DC)  
A(Pulse)  
Collector current  
IC  
∗1  
∗2  
Collector power dissipation  
P
C
W
2
Junction temperature  
Storage temperature  
∗1 Single pulse, Pw=10ms  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 ~ +150  
∗2 When mounted on a 40×40×0.7mm ceramic board.  
zPackaging specifications and hFE  
Type  
2SB1427  
MPT3  
E
Package  
hFE  
Marking  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
BJ  
∗
T100  
1000  
∗Denotes hFE  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−20  
−20  
−6  
−
−
−
390  
−
−
−
−
−
−
−
−
−
90  
30  
−
−
−
−0.5  
−0.5  
−0.5  
820  
−
V
V
I
I
I
C
C
E
= −50µA  
= −1mA  
= −50µA  
CB = −16V  
EB = −5V  
V
I
CBO  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
I
EBO  
V
CE(sat)  
∗
I
C
/I  
B
= −1A/−50mA  
hFE  
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/IC = −6V/−0.5A  
CE = −10V , I  
CB = −10V , I  
Transition frequency  
f
T
E
E
= 10mA , f= 100MHz  
= 0A , f = 1MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
∗
Measured using pulse current.  
Rev.A  
1/2  
123

中文翻译

下载PDF

与2SB1427T100/SE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1427T100/SU ROHM

获取价格

 		Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1427T100E ROHM

获取价格

 		Power transistor (−20V, −2A)
2SB1427T100EU ROHM

获取价格

 		暂无描述
2SB1427T100S ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1427T100SE ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1427T100SU ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1427T100U ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1427T101 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1427T101/E ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1427T101/S ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

与2SB1427T100/SE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证