Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1424T100PQ

2SB1424T100PQ

更新时间： 2024-11-23 13:00:35

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
4页	72K
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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SB1424T100PQ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	240 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SB1424T100PQ 数据手册

2SB1424 / 2SA1585S

Transistors

Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)

2SB1424 / 2SA1585S

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low V^CE(sat).

2SB1424

2SA1585S

V^CE(sat)= −0.2V (Typ.)

(I^C/IB = −2A / −0.1A)

2) Excellent DC current gain characteristics.

0.2

2 0.2

0.2

4.5

−0.1

1.5 0.1

1.6 0.1

3) Complements the 2SD2150 / 2SC4115S.

0.15

0.45

−0.05

(1) (2) (3)

0.1

0.4

−0.05

0.5 0.1

3.0 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.4 0.1

1.5 0.1

0.15

0.4

zStructure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

0.45

2.5

0.5

−0.05

−0.1

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

(1) (2) (3)

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

(1) Emitter

ROHM : SPT

EIAJ : SC-72

(2) Collector

(3) Base

Abbreviated symbol: AE

∗

Denotes hFE

∗

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

−20

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

VCBO

VCEO

VEBO

−20

−6

2SB1424

−3

Collector current

2SA1585S

−2

−5

A(Pulse)

∗

0.5

2SB1424

Collector power

dissipation

2SA1585S

0.4

Junction temperature

Storage temperature

Single pulse Pw=10ms

150

°C

Tstg

−55 to 150

∗

Rev.A

1/3

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1424T100PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1424T100Q	ROHM	获取价格	Low VCE(sat) Transistor (â20V, â3A)
2SB1424T100QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1424T100R	ROHM	获取价格	Low VCE(sat) Transistor (â20V, â3A)
2SB1424T101	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1424T101/PQ	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1424T101/PR	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1424T101/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1424T101/QR	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1424T101/R	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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