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2SB1424

更新时间： 2023-12-06 20:10:51

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
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4页	1525K
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SOT-89-3L

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JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-89-3L

2SB1424

TRANSISTOR (PNP)

1. BASE

FEATURES

2. COLLECTOR







Excellent DC current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Complement the 2SD2150

3. EMITTER

MARKING

AEQ

AER

Solid dot = Green molding compound device.

120–270

180–390

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-20

Unit

V

Collector-Emitter Voltage

-20

V

Emitter-Base Voltage

-6

V

Collector Current

-3

A

Collector Power Dissipation

500

mW

℃/W

℃

P_C

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Operation Junction and Storage Temperature Range

250

R_θJA

T_J,T_stg

-55~+150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

I_C=-50µA,I_E=0

Min

-20

-20

-6

Typ

Max

Unit

V

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=-1mA,I_B=0

V

I_E=-50µA,I_C=0

V

V_CB=-20V,I_E=0

-0.1

-0.1

390

-0.5

µA

µA

I_EBO

V_EB=-5V,I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE

V_CE=-2V, I_C=-0.1A

I_C=-2A,I_B=-0.1A

V_CB=-10V,I_E=0, f=1MHz

120

DC current gain

V_CE(sat)

C_ob

V

Collector-emitter saturation voltage

Collector output capacitance

35

pF

VCE=-2V,IC=-0.5A,

f=100MHz

f_T

240

MHz

Transition frequency

CLASSIFICATION OF h_FE

Q

R

RANK

120–270

180–390

RANGE

www.jscj-elec.com

1

Rev. - 2.2

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB1424_1	ROHM	Low VCE(sat) Transistor (−20V, −3A)	获取价格
2SB1424_15	KEXIN	PNP Transistors	获取价格
2SB1424_15	WINNERJOIN	TRANSISTOR (PNP)	获取价格
2SB1424_15	UTC	TRANSISTOR	获取价格
2SB1424G-X-AB3-R	UTC	LOW VCE(SAT) TRANSISTOR	获取价格
2SB1424L-R-AB3-R	UTC	Transistor	获取价格

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