5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1423P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
|
| 2SB1423Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
|
| 2SB1423R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-126 |
|
| 2SB1424 | UTC |
获取价格 |
LOW VCE(SAT) TRANSISTOR |
|
| 2SB1424 | ROHM |
获取价格 |
Low Vce(sat) Transistor (-20V, -3A) |
|
| 2SB1424 | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR(PNP) |
|
| 2SB1424 | KEXIN |
获取价格 |
Low VCE(sat) Transistor |
|
| 2SB1424 | SECOS |
获取价格 |
PNP Silicon Medium Power Transistor |
|
| 2SB1424 | TYSEMI |
获取价格 |
Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.2V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.1A) Excellent DC current gain char |
|
| 2SB1424 | WINNERJOIN |
获取价格 |
TRANSISTOR (PNP) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
