2SB1393A

更新时间： 2024-11-21 22:52:39

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管
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2页	48K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

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2SB1393A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220F	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1393A 数据手册

Power Transistors

2SB1393, 2SB1393A

Silicon PNP epitaxial planar type

For power amplification

Complementary to 2SD1985 and 2SD1985A

Unit: mm

Features

■

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

●

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

2.7±0.2

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

φ3.1±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1.3±0.2

Collector to

2SB1393

2SB1393A

2SB1393

–60

1.4±0.1

V_CBO

base voltage

Collector to

–80

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

–60

V_CEO

emitter voltage 2SB1393A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–80

2.54±0.25

V_EBO

I_CP

–5

5.08±0.5

–5

I_C

–3

1:Base

2:Collector

3:Emitter

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

2.0

TO–220 Full Pack Package(a)

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Collector cutoff

Symbol

I_CEO

Conditions

min

typ

max

–300

–200

–1

Unit

2SB1393

2SB1393A

2SB1393

2SB1393A

V_CE= –30V, I_B= 0

µA

current

V_CE= –60V, I_B= 0

V_CE= –60V, V_BE= 0

V_CE= –80V, V_BE= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Collector cutoff

current

I_CES

µA

Emitter cutoff current

I_EBO

V_CEO

Collector to emitter 2SB1393

voltage 2SB1393A

–60

–80

I_C= –30mA, I_B= 0

h_FE1

V_CE= –4V, I_C= –1A

250

Forward current transfer ratio

Base to emitter voltage

h_FE2

V_BE

V_CE= –4V, I_C= –3A

–1.8

–1.2

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= –3A, I_B= – 0.375A

V_CE= –5V, I_C= – 0.1A, f = 1MHz

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

0.5

1.2

0.3

MHz

µs

I_C= –1A, I_B1= – 0.1A, I_B2= 0.1A,

V_CC= –50V

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

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