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2SB1397

更新时间： 2024-02-07 15:43:51

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TYSEMI		晶体二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	76K
描述
Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter.

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2SB1397 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.46
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1.3 W	最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1397 数据手册

Product specification

2SB1397

Features

Low saturation voltage.

Contains diode between collector and emitter.

Contains bias resistance between base and emitter.

Large current capacity.

Small-sized package making it easy to provide highdensity,

small-sized hybrid ICs.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

-25

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

-20

-6

-2

-4

Collector current (pulse)

Collector dissipation

Jumction temperature

Storage temperature

I^CP

P^C*

T^j

1.3

150

T^stg

-55 to +150

* Mounted on ceramic board (250mm²X0.8mm)

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

-1

Unit

Collector cutoff current

V^CB= -20V , I^E= 0

V^CE= -2V , I^C= -0.5A

V^CE= -2V , I^C= -2A

V^CE= -2V , I^C= -0.5A

V^CB= -10V , f = 1MHz

I^C= -1A , I^B= -50mA

I^C= -10ìA , I^E= 0

I^C= -10ìA , R^BE=

I^C= -10mA , R^BE=

I^F=0.5A

DC current Gain

h^FE

Gain bandwidth product

f^T

300

MHz

Output capacitance

C^ob

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector-to-base breakdown voltage

V^CE(sat)

V^BE(sat)

V^(BR)CBO

-0.25 -0.5

-1.5

-25

-20

Collector-to-emitter breakdown voltage

Diode forward voltage

V^(BR)CEO1

V^(BR)CEO2

V^F

-1.5

1.6

Base-emitter resistance

R^BE

KÙ

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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