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2SB1398

更新时间： 2024-01-16 14:32:15
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)

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2SB1398 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

2SB1398 数据手册

 浏览型号2SB1398的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SB1398  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency output amplification  
Unit: mm  
2.5±0.1  
1.05  
±0.05  
6.9±0.1  
4.0  
(1.45)  
0.8  
0.7  
Features  
■
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
●
●
Large collector current IC.  
Allowing supply with the radial taping.  
0.65 max.  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
0.45+–00..015  
■
2.5±0.5 2.5±0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
1
2
3
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–30  
–25  
V
–7  
V
Note: In addition to the  
lead type shown in  
1:Emitter  
2:Collector  
–8  
A
the upper figure, the 3:Base  
IC  
–5  
A
type as shown in  
the lower figure is  
also available.  
MT2 Type Package  
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
*
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
1.2±0.1  
0.65  
max.  
+
0.1  
0.45–0.05  
(HW type)  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
CB = –10V, IE = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
nA  
nA  
V
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
V
–100  
–100  
IEBO  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Forward current transfer ratio  
VCEO  
VEBO  
IC = –1mA, IB = 0  
–25  
–7  
IE = –10µA, IC = 0  
V
hFE  
VCE = –2V, IC = –2A*2  
IC = –3A, IB = –0.1A*2  
VCB = –6V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –20V, IE = 0, f = 1MHz  
90  
205  
–1  
*1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
120  
Collector output capacitance  
Cob  
85  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE  
Rank  
hFE  
P
Q
90 ~ 135  
120 ~ 205  
1
12

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