2SB1402

更新时间： 2024-11-22 05:56:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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2SB1402 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB1402 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

2SB1402

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -120V(Min)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ (V_CE= -3V, I_C= -1.5A)

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-120

-7

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-3

I_CM

-6

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

℃

T_J

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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