2SB1402

更新时间： 2024-01-15 09:19:58

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	222K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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2SB1402 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.46
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB1402 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

2SB1402

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -120V(Min)

·High DC Current Gain-

: h_FE= 1000(Min)@ (V_CE= -3V, I_C= -1.5A)

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-120

-7

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

-3

I_CM

-6

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

℃

T_J

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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