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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.55 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.7 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 3000 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 170 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1406 | SANYO |
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Driver Applications |
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| 2SB1407 | HITACHI |
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Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB1407 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial |
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| 2SB1407(L) | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | TO-251AA |
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| 2SB1407(L)/(S) | ETC |
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|
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| 2SB1407(L)B | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SB1407(L)C | HITACHI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, Plastic/Epoxy, 3 Pin, DPAK-3 |
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| 2SB1407(L)C | RENESAS |
获取价格 |
2.5A, 35V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |
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| 2SB1407(L)D | RENESAS |
获取价格 |
2.5A, 35V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, DPAK-3 |
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| 2SB1407(L)D | HITACHI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, Plastic/Epoxy, 3 Pin, DPAK-3 |
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