是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.33 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 2.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 35 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 160 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SB1407(S)TL | HITACHI |
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2.5 A, 35 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
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2SB1407(S)TR | HITACHI |
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Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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2SB1407B(L) | ETC |
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BJT |
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2SB1407B(S) | ETC |
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BJT |
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2SB1407BL | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,35V V(BR)CEO,2.5A I(C),TO-251AA |
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2SB1407C(L) | ETC |
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BJT |
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2SB1407C(S) | ETC |
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BJT |
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2SB1407CS | RENESAS |
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2SB1407CS |
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2SB1407D(L) | ETC |
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BJT |
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2SB1407D(S) | ETC |
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BJT |
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