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2SB1402

更新时间： 2024-02-01 17:10:48

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	129K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1402 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.46
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB1402 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1402

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For use in low frequency power

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector -emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-120

-7

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-3

I_CM

Collector current-peak

-6

T_a=25ꢀ

T_C=25ꢀ

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

ꢀ

T_stg

12 3

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