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2SB1396-T

更新时间： 2024-02-17 23:20:19

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科信 - KEXIN		开关晶体管
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3页	1059K
描述
PNP Transistors

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2SB1396-T 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.44	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	400 MHz

2SB1396-T 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Transistors

2SB1396

1.70 0.1

■ Features

● Low collector to emitter saturation voltage

● Large current capacity

0.42 0.1

0.46 0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Symbol

Rating

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

-15

-10

-7

-3

Collector Current - Continuous

Collector Current - Pulse

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-5

1.3

℃

150

Storage Temperature range

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

-15

-10

-7

Typ

Max

Unit

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= -100 uA， I

Ic= -1 mA, RBE=∞

= -100 uA， I =0

CB= -12V , I =0

EB= -6V , I =0

E=0

CBO

EBO

-0.1

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

CE(sat)

BE(sat)

=-1.5 A, I

B=-30 mA

-0.22 -0.4

=-1.5 A, I

B=-30 mA

-0.9

-1.2

560

CE= -2V, I

= -500 mA

140

DC current gain

hFE

C= -3 A

Collector output capacitance

Transition frequency

Cob

CB= -10V, I

E= 0,f=1MHz

^CE= -2V, I = -300 mA

400

MHz

■ Classification of hfe(1)

Type

Range

Marking

2SB1396-S

140-280

BO S*

2SB1396-T

2SB1396-U

280-560

BO U*

200-400

BO T*

www.kexin.com.cn

12 3

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与2SB1396-T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1396U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 10V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| SOT-89
2SB1396-U	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1397	KEXIN	获取价格	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1397	TYSEMI	获取价格	Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter.
2SB1397	SANYO	获取价格	Compact Motor Driver Applications
2SB1398	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification)
2SB1398-HW	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SB1398P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SB1398Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SIP
2SB1398-SZ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon