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2SB1396

更新时间： 2024-02-10 22:49:29

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	52K
描述
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor

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2SB1396 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.24	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	10 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	400 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1396 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor

2SB1396

Features

Adoption of FBET,MBIT processes

Large current capacity

Low collector to emitter saturation voltage

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-15

-10

-7

-3

-5

Collector current (Pulse)

Collector dissipation *

Junction temperature

Storage temperature

I^CP

P^C*

T^j

1.3

150

Tstg

-55 to +150

* Mounted on ceramic PCB (250mm²X0.8mm)

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Symbol

I^CBO

I^EBO

Testconditons

VCB = -12V, IE=0

Min

Typ

Max

-100

560

Unit

ìA

VEB = -6V, IC=0

ìA

V^CE=-2V , IC = -0.5A

V^CE=-2V , IC = -3A

VCE =-2V , IC = -0.3A

VCE = -10V , f=1MHz

IC=-1.5A,IB=-30mA

IC=-10ìA,IE=0

140

DC current Gain

h^FE

Gain bandwidth product

Output capacitance

f^T

400

GHz

C^ob

C-E Saturation Voltage

B-E Saturation Voltage

C-B Breakdown Voltage

C-E Breakdown Voltage

E-B Breakdown Voltage

V^CE(sat)

V^BE(sat)

V^(BR)CBO

V^(BR)CEO

V^(BR)EBO

-220 -400

-0.9 -1.2

-15

-10

-7

IC=-1mA,RBE=

IE=-10ìA,IC=0

hFE Classification

Marking

Rank

hFE

140 280

200 400

280 560

www.kexin.com.cn

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