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2SB1197KT146

更新时间: 2024-11-12 19:56:19
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罗姆 - ROHM 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

2SB1197KT146 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.23
最大集电极电流 (IC):0.8 A集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):82
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SB1197KT146 数据手册

 浏览型号2SB1197KT146的Datasheet PDF文件第2页 
Transistors  
Low Frequency Transistor  
(*32V, *0.8A)  
2SB1197K  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) x *0.5V  
(Ic / IB = *0.5A / *50mA)  
2) IC = *0.8A.  
3) Complements the 2SD1781K.  
FStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)  
FElectrical characteristics (Ta = 25_C)  
(96-134-B92)  
227  

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