2SB1197-P

更新时间： 2024-11-13 04:25:51

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美微科 - MCC		晶体晶体管
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4页	445K
描述
PNP Silicon Epitaxial Transistors

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2SB1197-P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.37	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1197-P 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor

2SB1197

FEATURES

Lead-free

Small surface mounting type.

Corredtor peak current(Max.=1000mA)

Suitable for high packing density.

Low voltage(Max.=40v)

High saturation current capability.

Voltage controlled small signal switch.

APPLICATIONS

SOT-23

Telephone and professional communication equipment.

Other switching appilications.

ORDERING INFORMATION

Type No.

2SB1197

Marking

Package Code

SOT-23

AHP,AHQ,AHR

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

-40

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

-32

-5

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

-800

200

℃

P_C

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Document number: BL/SSSTC016

Rev.A

www.galaxycn.com

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