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2SB1197-R-TP-HF

更新时间： 2024-11-12 18:35:11

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美微科 - MCC		/
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2页	208K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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2SB1197-R-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2SB1197-R-TP-HF 数据手册

M C C

2SB1197-P

2SB1197-Q

2SB1197-R

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

PNP Silicon

Epitaxial Transistors

RoHS Compliant. See ordering information)

Small Package

Mounting:any position

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

SOT-23

Maximum Ratings @ T_a= 25?(unless otherwise noted)

Symbol

I_C

Parameter

Value

-0.8

Unit

Collector Current

P_D

Total Device Dissipation

Junction Temperature

0.2

T_J

150

T_STG

Storage Temperature Range

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=-1mAdc,I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-50uAdc,I_E=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_E=-50uAdc,I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=-20Vdc, I_E=0)

V(BR)CEO

-32

-40

-5.0

V(BR)CBO

DIMENSIONS

INCHES

V(BR)EBO

I_CBO

DIM

MIN

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

-0.5

µAdc

uAdc

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=-4.0Vdc, I_C=0)

I_EBO

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

390

-0.5

(I_C=-100mAdc, V_CE=-3.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

Transition Frequency

.085

.37

V_CE(sat)

Vdc

Suggested Solder

Pad Layout

MHZ

(VCE=-5Vdc,IC=-50mAdc,f=100MHZ)

CLASSIFICATION OF hFE

.031

.800

Rank

Range

82-180

AHP

120-270

AHQ

180-390

AHR

.035

.900

Marking

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: B

2013/01/01

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与2SB1197-R-TP-HF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1198	ROHM	获取价格	Low-frequency Transistor(-80V, -0.5A)
2SB1198	UTC	获取价格	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1198	CJ	获取价格	SOT-23
2SB1198	BL Galaxy Electrical	获取价格	80V,0.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
2SB1198_11	UTC	获取价格	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1198G-R-AE3-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
2SB1198G-X-AE3-R	UTC	获取价格	LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1198HE3-R	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
2SB1198K	TYSEMI	获取价格	Low VCE(sat).VCE(sat)=-0.2V VCE(sat)=-0.2V High berakdown voltage. BVCEO=-80V
2SB1198K	ROHM	获取价格	Low-frequency Transistor(-80V, -0.5A)

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