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Datasheet > 暂无类别数据> 2SB1197KT146Q
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2SB1197KT146Q

更新时间： 2024-11-12 12:52:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
3页 58K
描述
Low Frequency Transistor (32V, 0.8A)

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2SB1197KT146Q 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

2SB1197KT146Q 数据手册

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2SB1197K  
Transistors  
Low Frequency Transistor (ꢀ32V, ꢀ0.8A)  
2SB1197K  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) ͟ ꢀ0.5V  
̈́IC / IB= ꢀ0.5A / ꢀ50mAͅ  
2) IC = ꢀ0.8A.  
3) Complements the 2SD1781K.  
2.9 0.2  
1.9 0.2  
0.95 0.95  
+
0.2  
1.1  
−0.1  
0.8 0.1  
(2)  
(1)  
0~0.1  
(3)  
All terminals have the  
same dimensions  
0.1  
+
0.1  
0.15  
+
−0.06  
0.4  
−0.05  
zStructure  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
Abbreviated symbol: AH  
∗
Denotes hFE  
∗
zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
−40  
Unit  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−32  
V
−5  
V
I
C
−0.8  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
P
C
0.2  
W
°C  
°C  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to 150  
zElectrical characteristics (Ta=25qC)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
BVCBO  
−40  
−32  
−5  
−
I
I
I
C
= −50  
= −1mA  
= −50  
μ
A
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCEO  
BVEBO  
−
−
V
C
−
−
V
E
μA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−0.5  
−0.5  
−0.5  
390  
−
μ
A
A
V
CB= −20V  
EB= −4V  
I
−
−
μ
V
Emitter cutoff current  
V
−
−
V
IC/IB= −0.5A/ −50mA  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
h
120  
−
−
−
V
V
V
CE= −3V, I  
C
= −100mA  
=50mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
f
T
200  
12  
MHz  
pF  
CE= −5V, I  
E
Transition frequency  
Cob  
−
30  
CB= −10V, I  
E
Output capacitance  
Rev.A  
1/2  
123

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2SB1197KT146Q 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1197KT146R ROHM

类似代替

 Low Frequency Transistor (32V, 0.8A)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1197KT146QR ROHM

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2SB1197KT146R ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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