2SB1197KT146Q

更新时间： 2024-09-25 12:52:27

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
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描述
Low Frequency Transistor (32V, 0.8A)

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2SB1197KT146Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	1	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

2SB1197KT146Q 数据手册

2SB1197K

Transistors

Low Frequency Transistor (ꢀ32V, ꢀ0.8A)

2SB1197K

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low V^CE(sat).

V^CE(sat)͟ ꢀ0.5V

̈́I^C/ IB= ꢀ0.5A / ꢀ50mAͅ

2) IC = ꢀ0.8A.

3) Complements the 2SD1781K.

2.9 0.2

1.9 0.2

0.95 0.95

0.2

1.1

−0.1

0.8 0.1

(2)

(1)

0~0.1

(3)

All terminals have the

same dimensions

0.1

0.15

−0.06

0.4

−0.05

zStructure

(1) Emitter

(2) Base

(3) Collector

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

ROHM : SMT3

EIAJ : SC-59

Abbreviated symbol: AH

∗

Denotes hFE

∗

zAbsolute maximum ratings (Ta=25qC)

Parameter

Symbol

Limits

−40

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

VCBO

VCEO

VEBO

−32

−5

−0.8

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

0.2

°C

150

Tstg

−55 to 150

zElectrical characteristics (Ta=25qC)

Parameter

Symbol Min.

Typ.

−

Max.

−

Unit

Conditions

BV^CBO

−40

−32

−5

−

= −50

= −1mA

= −50

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

BVCEO

BVEBO

−

μA

CBO

EBO

CE(sat)

−

−0.5

390

−

CB= −20V

EB= −4V

−

Emitter cutoff current

−

IC/IB= −0.5A/ −50mA

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

120

−

CE= −3V, I

= −100mA

=50mA, f=100MHz

=0A, f=1MHz

200

MHz

CE= −5V, I

Transition frequency

Cob

−

CB= −10V, I

Output capacitance

Rev.A

1/2

12 3

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2SB1197KT147	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1197KT147/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1197KT147/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1197KT147/QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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