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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220FP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 12 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1187F | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| 2SB1188 | TYSEMI |
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Low VCE(sat). VCE(sat) = -0.5V (Typ.) (IC/IB = -2A / -0.2A) |
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| 2SB1188 | WILLAS |
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SOT-89 Plastic-Encapsulate Transistors |
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| 2SB1188 | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB1188 | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR(PNP) |
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| 2SB1188 | KEXIN |
获取价格 |
Medium Power Transistor |
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| 2SB1188 | SECOS |
获取价格 |
PNP Silicon Medium Power Transistor |
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| 2SB1188 | WEITRON |
获取价格 |
Epitaxial Planar PNP Transistors |
|
| 2SB1188 | TRSYS |
获取价格 |
Plastic-Encapsulated Transistors |
|
| 2SB1188 | ROHM |
获取价格 |
Medium power Transistor(-32V, -2A) |
|
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