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2SB1188

更新时间: 2024-11-10 22:45:07
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 132K
描述
Medium power Transistor(-32V, -2A)

2SB1188 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.34外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:32 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):82
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SB1188 数据手册

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Transistors  
Medium power Transistor(*32V,*2A)  
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /  
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M  
FFeatures  
FExternal dimensions (Unit: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = *0.5V (Typ.)  
(IC / IB = *2A / *0.2A)  
2) Complements the 2SD1766 /  
2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /  
2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.  
FStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
(96-131-B24)  
215  

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