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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1188_09 | ROHM |
获取价格 |
Medium power transistor (-32V, -2A) |
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| 2SB1188_09 | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB1188_10 | SECOS |
获取价格 |
PNP Silicon Medium Power Transistor |
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| 2SB1188_15 | WINNERJOIN |
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TRANSISTOR (PNP) |
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| 2SB1188-E-AB3-R | TRSYS |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB1188-E-AB3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 |
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| 2SB1188G-E-AB3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN F |
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| 2SB1188G-P-AB3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN F |
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| 2SB1188G-Q-AB3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN F |
|
| 2SB1188G-X-AB3-R | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
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