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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 2.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1178P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1178Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1178R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1179 | PANASONIC |
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For Power Amplification And Switching |
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| 2SB1179A | PANASONIC |
获取价格 |
For Power Amplification And Switching |
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| 2SB1179AH | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1179AP | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1179AQ | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1179AR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1179ATX | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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