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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1180TX | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1181 | ROHM |
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Power Transistor |
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| 2SB1181 | KEXIN |
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Power Transistor |
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| 2SB1181 | TYSEMI |
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Hight breakdown voltage and high current. Low VCE(sat). |
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| 2SB1181/P | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1181/PQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1181/Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| 2SB1181/QR | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1181_15 | KEXIN |
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PNP Transistors |
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| 2SB1181F5 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252VAR |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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