2SB1181/P

更新时间： 2024-02-29 23:15:00

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	140K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1181/P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.36
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN COPPER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SB1181/P 数据手册

Power Transistor (80V, 1A)

2SB1260 / 2SB1181 / 2SB1241

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) Hight breakdown voltage and high current.

BV^CEO=80V, IC = 1A

2) Good h^FElinearty.

3) Low V^CE(sat).

Complements the 2SD1898 / 2SD1863 / 2SD1733.

2SB1260

2SB1181

0.2

2.3

6.5 0.2

0.2

C0.5

5.1

0.2

0.5 0.1

4.5

1.5

1.6 0.1

0.65 0.1

0.75

(1) (2) (3)

0.9

+0.1

0.4

0.55 0.1

1.0 0.2

0.5 0.1

3.0 0.2

2.3 0.2 2.3 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.4 0.1

1.5 0.1

Structure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

(1) (2) (3)

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

2SB1241

2.5 0.2

6.8 0.2

0.65Max.

0.5 0.1

(1) (2)

2.54

(3)

2.54

1.05

0.45 0.1

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

ROHM : ATV

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

−80

−5

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

−1

A (DC)

Collector current

∗1

−2

A (Pulse)

0.5

2SB1260

∗2

∗3

Collector power

dissipation

2SB1241, 2SB1181

2SB1181

W (Tc=25°C

)

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

Tstg

−55 to +150

1 2SB1260 : Pw=20ms duty=1/2

2SB1241 : Single pulse, Pw=100ms

2 2SB1260 : When mounted on a 40

∗

×40

0.7 mm ceramic board.

∗

3 2SB1241 : Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm²or larger.

∗

www.rohm.com

2011.05 - Rev.F

1/2

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB1181/P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1181/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1181/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1181/QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1181_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1181F5	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-252VAR
2SB1181F5/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1181F5/PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1181F5/PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1181F5/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1181F5/QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

与2SB1181/P相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

2
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

2
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

4
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1181/P

2SB1181/P 技术参数

2SB1181/P 数据手册

与2SB1181/P相关器件

与2SB1181/P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1181/P

2SB1181/P 技术参数

2SB1181/P 数据手册

与2SB1181/P相关器件

与2SB1181/P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？