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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1179P | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1179Q | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1179R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1179TX | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1180 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type darlington |
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| 2SB1180A | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon PNP epitaxial planar type darlington |
|
| 2SB1180AH | PANASONIC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1180AP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1180AQ | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-221VAR |
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| 2SB1180AR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-221VAR |
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