5秒后页面跳转
2SB1179TX PDF预览

2SB1179TX

更新时间: 2024-09-27 20:56:55
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

2SB1179TX 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):4 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE):1000JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

2SB1179TX 数据手册

 浏览型号2SB1179TX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1179TX的Datasheet PDF文件第3页 

与2SB1179TX相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1180 PANASONIC

获取价格

Silicon PNP epitaxial planar type darlington
2SB1180A PANASONIC

获取价格

Silicon PNP epitaxial planar type darlington
2SB1180AH PANASONIC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1180AP ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-221VAR
2SB1180AQ ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-221VAR
2SB1180AR ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-221VAR
2SB1180ATX PANASONIC

获取价格

暂无描述
2SB1180H PANASONIC

获取价格

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1180P ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-221VAR
2SB1180Q ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-221VAR