5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SB1179AP
2SB1179AP PDF预览

2SB1179AP

更新时间： 2024-11-18 20:30:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, I-G1, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB1179AP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：4000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SB1179AP 数据手册

 浏览型号2SB1179AP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1179AP的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SB1179, 2SB1179A  
Silicon PNP epitaxial planar type darlington  
Unit: mm  
For power amplification and switching  
Complementary to 2SD1749, 2SD1749A  
7.0 0.3  
3.5 0.2  
0˚ to 0.15˚  
3.0 0.2  
2.0 0.2  
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
• High-speed switching  
• I type package enabling direct soldering of the radiating fin to the  
printed circuit board, etc. of small electronic equipment  
1.1 0.1  
0.75 0.1 0.4 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
0.9 0.1  
0˚ to 0.15˚  
2.3 0.2  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
4.6 0.4  
2
2SB1179  
2SB1179A  
2SB1179  
2SB1179A  
VCBO  
−60  
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
1
3
−80  
VCEO  
−60  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
I-G1 Package  
−80  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
−5  
V
A
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
−4  
Note) Self-supported type package is also prepared.  
Peak collector current  
Collector power dissipation  
−8  
A
Internal Connection  
15  
W
C
Ta = 25°C  
1.3  
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
E
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−60  
−80  
Typ  
Max  
Unit  
2SB1179  
2SB1179A  
VCEO  
IC = −30 mA, IB = 0  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
VBE  
ICBO  
VCE = −3 V, IC = −3 A  
VCB = −60 V, IE = 0  
VCB = −80 V, IE = 0  
VCE = −40 V, IB = 0  
VCE = −40 V, IB = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
−2.5  
−200  
−200  
−500  
−500  
−2  
V
Base-emitter voltage  
2SB1179  
2SB1179A  
2SB1179  
2SB1179A  
µA  
Collector-base cutoff  
current (Emitter open)  
ICEO  
µA  
Collector-emitter cutoff  
current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IEBO  
hFE1  
mA  
VCE = −3 V, IC = − 0.5 A  
VCE = −3 V, IC = −3 A  
1000  
2000  
*
hFE2  
10 000  
−2  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = −3 A, IB = −12 mA  
IC = −5 A, IB = −20 mA  
V
−4  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 1 MHz  
20  
0.3  
2.0  
0.5  
MHz  
µs  
IC = −3 A, IB1 = −12 mA, IB2 = 12 mA  
VCC = −50 V  
µs  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
P
hFE2  
2000 to 5000 4000 to 10000  
Publication date: February 2003  
SJD00055AED  
1
123

中文翻译

下载PDF

与2SB1179AP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1179AQ PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1179AR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-221VAR
2SB1179ATX PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1179H PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1179P PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1179Q PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1179R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-221VAR
2SB1179TX PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1180 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type darlington
2SB1180A PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type darlington

与2SB1179AP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证