5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SB0937Q
2SB0937Q PDF预览

2SB0937Q

更新时间： 2024-11-03 23:20:03
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-262VAR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB0937Q 数据手册

 浏览型号2SB0937Q的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB0937Q的Datasheet PDF文件第3页 
Power Transistors  
2SB0937, 2SB0937A (2SB937, 2SB937A)  
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington  
For power amplification and switching  
Unit: mm  
3.4±0.3  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
1.0±0.1  
Complementary to 2SD1260 and 2SD1260A  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
High-speed switching  
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
●
0.8±0.1  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.54±0.3  
5.08±0.5  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
1:Base  
1
2
3
2:Collector  
3:Emitter  
N Type Package  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Collector to  
2SB0937  
2SB0937A  
2SB0937  
–60  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
–80  
Unit: mm  
8.5±0.2  
6.0±0.3  
3.4±0.3  
–60  
1.0±0.1  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB0937A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
VEBO  
ICP  
–5  
V
A
A
–4  
IC  
–2  
35  
R0.5  
R0.5  
0.8±0.1  
0 to 0.4  
Collector power TC=25°C  
2.54±0.3  
1.1 max.  
PC  
W
5.08±0.5  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–1  
Unit  
2SB0937  
2SB0937A  
2SB0937  
2SB0937A  
VCB = –60V, IE = 0  
mA  
current  
VCB = –80V, IE = 0  
VCE = –30V, IB = 0  
VCE = –40V, IB = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
–1  
Collector cutoff  
current  
–2  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
mA  
mA  
V
–2  
Emitter cutoff current  
–2  
Collector to emitter 2SB0937  
voltage 2SB0937A  
–60  
–80  
IC = –30mA, IB = 0  
VCE = –4V, IC = –1A  
1000  
2000  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
*
hFE2  
V
CE = –4V, IC = –2A  
10000  
–2.8  
VBE  
VCE = –4V, IC = –2A  
IC = –2A, IB = –8mA  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
–2.5  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
V
CE = –10V, IC = – 0.5A, f = 1MHz  
20  
0.4  
1.5  
0.5  
MHz  
µs  
IC = –2A, IB1 = –8mA, IB2 = 8mA  
µs  
µs  
C
*hFE2 Rank classification  
Internal Connection  
B
Rank  
hFE2  
Q
P
Note) The part numbers in the parenthesis  
show conventional part number.  
2000 to 5000 4000 to 10000  
E
1
123

中文翻译

下载PDF

与2SB0937Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB0938 PANASONIC

获取价格

 		For Power Amplification And Switching
2SB0938(2SB938) ETC

获取价格

 		パワーデバイス － パワートランジスタ － 汎用電力増幅
2SB0938/2SB0938A(2SB938/2SB938A) ETC

获取价格

 		2SB0938. 2SB0938A (2SB938. 2SB938A) - PNP Transistor Darlington
2SB0938|2SB938 ETC

获取价格

 		Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0938A PANASONIC

获取价格

 		For Power Amplification And Switching
2SB0938A(2SB938A) ETC

获取价格

 		パワーデバイス － パワートランジスタ － 汎用電力増幅
2SB0938A|2SB938A ETC

获取价格

 		Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification
2SB0938AP ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-262VAR
2SB0938AQ ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 80V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-262VAR
2SB0938P ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-262VAR

与2SB0937Q相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证