パワートランジスタ
2SB0940 (2SB940), 2SB0940A (2SB940A)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形
電力増幅用
Unit : mm
10.0 0.2
5.5 0.2
4.2 0.2
2.7 0.2
テレビ垂直偏向出力用
2SD1264, 2SD1264Aとコンプリメンタリ
φ 3.1 0.1
■ 特ꢀ長
•
•
•
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO が高い
コレクタ損失PC が大きい
放熱板への取付けがビス1本で可能なフルパックパッケージ
1.3 0.2
1.4 0.1
+0.2
–0.1
0.5
0.8 0.1
■ 絶対最大定格 TC = 25°C
項目
記号
定格
−200
−150
−180
−6
単位
V
2.54 0.3
5.08 0.5
コレクタ・ベース間電圧 (E開放時) VCBO
1 : Base
2SB0940
VCEO
V
コレクタ・エミッタ間
2 : Collector
3 : Emitter
EIAJ : SC-67
1
2 3
電圧(B 開放時)
2SB0940A
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) VEBO
V
A
TO-220F-A1 Package
コレクタ電流
IC
ICP
PC
−2
尖頭コレクタ電流
コレクタ損失
−3
A
30
W
Ta = 25°C
2
接
合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
■ 電気的特性 TC = 25°C 3°C
項目
記号
条件
最小 標準 最大
単位
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
VCEO
IC = −50 µA, IE = 0
IC = −5 mA, IB = 0
−200
−150
−180
−6
2SB0940
V
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
2SB0940A
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VEBO
VBE
IE = −500 µA, IC = 0
V
V
ベース・エミッタ間電圧
VCE = −10 V, IC = −400 mA
VCB = −200 V, IE = 0
−1
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO
−50
−50
µA
µA
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)
IEBO
VEB = −4 V, IC = 0
*
直
流電流増幅率
hFE1
VCE = −10 V, IC = −150 mA
60
240
hFE2
VCE = −10 V, IC = −400 mA
50
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
トランジション周 波数
VCE(sat) IC = −500 mA, IB = −50 mA
fT VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 10 MHz
−1
V
30
MHz
注) 1. 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. : ランク分類
*
ランク
Q
P
hFE1
60 ∼ 140
100 ∼ 240
注) 形名の( )内は, 従来品
番です
発行年月 : 2003年2月
SJD00021BJD
1