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2SB0939A(2SB939A)

更新时间： 2022-01-18 16:06:00

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描述
パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅

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2SB0939A(2SB939A) 数据手册

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パワートランジスタ

2SB0939 (2SB939), 2SB0939A (2SB939A)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形ダーリントン

Unit : mm

中速電力スイッチング用

8.5 0.2

6.0 0.2

3.4 0.3

1.0 0.1

2SD1262, 2SD1262Aとコンプリメンタリ

■ 特ꢀ長

•

直

流電流増幅率h_FEが高い

0 to 0.4

スイッチング速度が速い

R = 0.5

1.0 0.1

0.8 0.1

小形電子機器のプリント基板などへ直

だ付けできるN型パッケージ構造

接放熱フィンをはん

2.54 0.3

1.4 0.1

0.4 0.1

5.08 0.5

(8.5)

(6.0)

(6.5)

1.3

■ 絶対最大定格 T_C= 25°C

項目

記号

定格

−60

−80

−60

−80

−7

単位

2SB0939

2SB0939A

2SB0939

2SB0939A

V_CBO

コレクタ・ベース間電圧

(E開放時)

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

V_CEO

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

N-G1 Package

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

注) 自立タイプのパッケージも用

意しています。

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

−8

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

−12

内部接続図

T_a= 25°C

1.3

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_C= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

2SB0939

2SB0939A

2SB0939

2SB0939A

V_CEO

I_CBO

I_EBO

I_C= −30 mA, I_B= 0

−60

−80

−100

−2

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

コレクタ・ベース間遮断

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CB= −80 V, I_E= 0

V_EB= −7 V, I_C= 0

µA

電流(E 開放時)

エミッタ・ベース間遮断電流(C開放時)

直

流電流増幅率

h_FE1

V_CE= −3 V, I_C= −4 A

2000

10000



h_FE2

V_CE= −3 V, I_C= −8 A

500

ベース・エミッタ間飽和電圧

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

ターンオン時間

V_BE(sat)I_C= −4 A, I_B= −8 mA

V_CE(sat)I_C= −4 A, I_B= −8 mA

−2

−1.5

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 1 MHz

0.5

MHz

µs

I_C= −4 A

蓄積時間

I_B1= −8 mA, I_B2=8 mA

µs

下降時間

V_CC= −50 V

µs

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. : ランク分類

ランク

h_FE1

2000 ∼ 5000 4000 ∼ 10000

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年3月

SJD00020BJD

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SB0939AP	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-262VAR	获取价格
2SB0939AQ	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-262VAR	获取价格
2SB0939P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-262VAR	获取价格
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