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2SB0941AQ

更新时间： 2024-01-18 01:23:03

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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB

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2SB0941AQ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220F
包装说明：	SC-67, TO-220F, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2SB0941AQ 数据手册

Power Transistors

2SB0941, 2SB0941A

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-frequency power amplification

Unit: mm

10.0 0.ꢀ

5.5 0.ꢀ

4.ꢀ 0.ꢀ

Complementary to 2SD1266 and 2SD1266A

ꢀ.7 ^0.ꢀ

I Features

•

High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory

linearity

φ ꢁ.1 0.1

•

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw

1.ꢁ 0.ꢀ

1.4 0.1

+0.ꢀ

–0.1

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

0.5

0.8 0.1

Parameter

Symbol

Rating

Unit

ꢀ.54 0.ꢁ

5.08 0.5

2SB0941

2SB0941A

2SB0941

2SB0941A

V_CBO

−60

Collector to base

voltage

−80

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

V_CEO

−60

Collector to

ꢀ ꢁ

emitter voltage

−80

EIAJ : SC-67

TO-220F Package

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

−5

−3

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

−200

−300

−1

Unit

2SB0941

2SB0941A

2SB0941

2SB0941A

I_CES

V_CE= −60 V, V_BE= 0

V_CE= −80 V, V_BE= 0

V_CE= −30 V, I_B= 0

V_CE= −60 V, I_B= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

I_C= −30 mA, I_B= 0

µA

Collector cutoff

current

I_CEO

µA

Collector cutoff

current

Emitter cutoff current

I_EBO

2SB0941

V_CEO

−60

−80

Collector to emitter

voltage

2SB0941A

Forward current transfer ratio

h_FE1

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

250

h_FE2

V_BE

V_CE(sat)

f_T

V_CE= −4 V, I_C= −3 A

Base to emitter voltage

Collector to emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE= −4 V, I_C= −3 A

−1.8

−1.2

I_C= −3 A, I_B= − 0.375 A

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

I_C= −1 A, I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

0.5

1.2

0.3

MHz

µs

t_on

Storage time

t_stg

µs

Fall time

t_f

µs

Note) : Rank classification

Ordering can be made by the common rank (PQ rank h_FE1= 70 to 250) in the

rank classification.

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

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与2SB0941AQ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB0941P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB0941PQ	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB0941Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB0942	PANASONIC	For Low-Frequency Power Amplification	获取价格
2SB0942(2SB942)	ETC	パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅	获取价格
2SB0942\|2SB942	ETC	Power Device - Power Transistors - General-Purpose power amplification	获取价格

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