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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB0941A
2SB0941A PDF预览

2SB0941A

更新时间： 2024-01-03 17:11:53
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 50K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-67, TO-220F, 3 PIN

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2SB0941A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：SC-67, TO-220F, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

2SB0941A 数据手册

 浏览型号2SB0941A的Datasheet PDF文件第2页 
Power Transistors  
2SB941, 2SB941A  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low-frequency power amplification  
Complementary to 2SD1266 and 2SD1266A  
Unit: mm  
Features  
■
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
●
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity  
2.7±0.2  
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
●
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
one screw  
φ3.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
1.3±0.2  
Collector to  
2SB941  
2SB941A  
2SB941  
–60  
1.4±0.1  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
–80  
+0.2  
–0.1  
0.5  
0.8±0.1  
–60  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB941A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
2.54±0.25  
VEBO  
ICP  
–5  
V
A
A
5.08±0.5  
–5  
1
2
3
IC  
–3  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
TO–220 Full Pack Package(a)  
Collector power TC=25°C  
35  
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
2
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICES  
Conditions  
min  
typ  
max  
–200  
–200  
–300  
–300  
–1  
Unit  
2SB941  
VCE = –60V, VBE = 0  
µA  
current  
2SB941A  
2SB941  
VCE = –80V, VBE = 0  
VCE = –30V, IB = 0  
VCE = –60V, IB = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Collector cutoff  
current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
µA  
mA  
V
2SB941A  
Emitter cutoff current  
Collector to emitter 2SB941  
voltage 2SB941A  
–60  
–80  
70  
IC = –30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = –4V, IC = –1A  
250  
Forward current transfer ratio  
Base to emitter voltage  
hFE2  
VBE  
VCE = –4V, IC = –3A  
10  
VCE = –4V, IC = –3A  
–1.8  
–1.2  
V
V
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –3A, IB = – 0.375A  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 10MHz  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
30  
0.5  
1.2  
0.3  
MHz  
µs  
IC = –1A, IB1 = – 0.1A, IB2 = 0.1A  
µs  
µs  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
P
Note: Ordering can be made by the common rank (PQ rank hFE1 = 70 to 250) in the  
rank classification.  
70 to 150  
120 to 250  
1
12

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