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2SB0940A(2SB940A)

更新时间： 2022-01-18 16:06:00

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描述
パワーデバイス－パワートランジスタ－汎用電力増幅

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2SB0940A(2SB940A) 数据手册

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パワートランジスタ

2SB0940 (2SB940), 2SB0940A (2SB940A)

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

電力増幅用

Unit : mm

10.0 0.2

5.5 0.2

4.2 0.2

2.7 ^0.2

テレビ垂直偏向出力用

2SD1264, 2SD1264Aとコンプリメンタリ

φ 3.1 0.1

■ 特ꢀ長

•

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEOが高い

コレクタ損失P_Cが大きい

放熱板への取付けがビス1本で可能なフルパックパッケージ

1.3 0.2

1.4 0.1

+0.2

–0.1

0.5

0.8 0.1

■ 絶対最大定格 T_C= 25°C

項目

記号

定格

−200

−150

−180

−6

単位

2.54 0.3

5.08 0.5

コレクタ・ベース間電圧 (E開放時) V_CBO

1 : Base

2SB0940

V_CEO

コレクタ・エミッタ間

2 : Collector

3 : Emitter

EIAJ : SC-67

2 3

電圧(B 開放時)

2SB0940A

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) V_EBO

TO-220F-A1 Package

コレクタ電流

I_C

I_CP

P_C

−2

尖頭コレクタ電流

コレクタ損失

−3

T_a= 25°C

接

合温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

■ 電気的特性 T_C= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

V_CBO

V_CEO

I_C= −50 µA, I_E= 0

I_C= −5 mA, I_B= 0

−200

−150

−180

−6

2SB0940

コレクタ・エミッタ間

電圧(B 開放時)

2SB0940A

エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)

V_EBO

V_BE

I_E= −500 µA, I_C= 0

ベース・エミッタ間電圧

V_CE= −10 V, I_C= −400 mA

V_CB= −200 V, I_E= 0

−1

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

−50

µA

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)

I_EBO

V_EB= −4 V, I_C= 0

直

流電流増幅率

h_FE1

V_CE= −10 V, I_C= −150 mA

240



h_FE2

V_CE= −10 V, I_C= −400 mA

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

トランジション周波数

V_CE(sat)I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

f_TV_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

−1

MHz

注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

2. : ランク分類

ランク

h_FE1

60 ∼ 140

100 ∼ 240

注) 形名の( )内は, 従来品

番です

発行年月 : 2003年2月

SJD00021BJD

12 3

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