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2SB0939P

更新时间： 2024-01-09 07:06:58
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 75K
描述
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-262VAR

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2SB0939P 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SB0939P 数据手册

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Power Transistors  
2SB0939, 2SB0939A (2SB939, 2SB939A)  
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington  
Unit: mm  
3.4±0.3  
For midium-speed power switching  
8.5±0.2  
6.0±0.5  
1.0±0.1  
Complementary to 2SD1262 and 2SD1262A  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
1.5max.  
1.1max.  
0.5max.  
●
High-speed switching  
N type package enabling direct soldering of the radiating fin to  
●
0.8±0.1  
the printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.54±0.3  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
5.08±0.5  
■
C
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–60  
Unit  
N Type Package  
Collector to  
2SB0939  
2SB0939A  
2SB0939  
VCBO  
V
Unit: mm  
base voltage  
Collector to  
–80  
8.5±0.2  
6.0±0.3  
3.4±0.3  
–60  
1.0±0.1  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB0939A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–80  
VEBO  
ICP  
–7  
V
A
A
–12  
IC  
–8  
R0.5  
R0.5  
Collector power TC=25°C  
45  
0.8±0.1  
0 to 0.4  
PC  
W
2.54±0.3  
1.1 max.  
dissipation  
Ta=25°C  
1.3  
5.08±0.5  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
1
2
3
Tstg  
–55 to +150  
N Type Package (DS)  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Collector cutoff  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–100  
–2  
Unit  
µA  
mA  
V
2SB0939  
VCB = –60V, IE = 0  
current  
2SB0939A  
VCB = –80V, IE = 0  
VEB = –7V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
IEBO  
Collector to emitter 2SB0939  
voltage 2SB0939A  
–60  
–80  
VCEO  
IC = –30mA, IB = 0  
*
hFE1  
VCE = –3V, IC = –4A  
2000  
500  
10000  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
VCE = –3V, IC = –8A  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –4A, IB = –8mA  
–1.5  
–2  
V
V
IC = –4A, IB = –8mA  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 1MHz  
15  
0.5  
2
MHz  
µs  
IC = –4A, IB1 = –8mA, IB2 = 8mA,  
VCC = –50V  
µs  
1
µs  
C
Internal Connection  
*hFE1 Rank classification  
B
Rank  
hFE1  
Q
P
2000 to 5000 4000 to 10000  
Note) The part numbers in the parenthesis  
show conventional part number.  
E
1
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SB0939Q ETC TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-262VAR

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