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2SB0940AP

更新时间： 2024-02-18 15:16:21

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TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-220AB

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2SB0940AP 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	30 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2SB0940AP 数据手册

Power Transistors

2SB0940, 2SB0940A (2SB940, 2SB940A)

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For power amplification

10.0 0.ꢀ

5.5 0.ꢀ

4.ꢀ 0.ꢀ

ꢀ.7 ^0.ꢀ

For TV vertical deflection output

Complementary to 2SD1264 and 2SD1264A

φ ꢁ.1 0.1

I Features

•

High collector to emitter voltage V_CEO

Large collector power dissipation P_C

Full-pack package which can be installed to the heat sink with one

screw

1.ꢁ 0.ꢀ

1.4 0.1

+0.ꢀ

–0.1

0.5

0.8 0.1

ꢀ.54 0.ꢁ

5.08 0.5

I Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

Parameter

Symbol

Rating

−200

−150

−180

−6

Unit

ꢀ ꢁ

2SB0940

2SB0940A

2SB0940

2SB0940A

V_CBO

Collector to base

EIAJ : SC-67

TO-220F Package

voltage

V_CEO

Collector to

emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

V_EBO

I_CP

I_C

−3

−2

T_C= 25°C

T_a= 25°C

P_C

Collector power

dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

I Electrical Characteristics T_C= 25°C

Parameter

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

Collector to base voltage

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

−50

Unit

µA

V_CB= −200 V, I_E= 0

V_EB= −4 V, I_C= 0

I_C= −50 µA, I_E= 0

I_C= −5 mA, I_B= 0

I_EBO

V_CBO

V_CEO

−200

−150

−180

−6

2SB0940

2SB0940A

Collector to emitter

voltage

Emitter to base voltage

V_EBO

I_E= −500 µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE1

V_CE= −10 V, I_C= −150 mA

V_CE= −10 V, I_C= −400 mA

I_C= −500 mA, I_B= −50 mA

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

240

h_FE2

V_BE

Base to emitter voltage

−1

Collector to emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

MHz

Note) : Rank classification

Rank

h_FE1

60 to 140

100 to 240

Note.) The Part numbers in the Parenthesis show conventional part number.

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB0940AQ	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB0940P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB0940Q	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 200V V(BR)CEO \| 30A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB0941	PANASONIC	Silicon PNP epitaxial planar type(For low-frequency power amplification)	获取价格
2SB0941A	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
2SB0941AP	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB	获取价格

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