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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB0938
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2SB0938

更新时间： 2024-11-03 22:45:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关
页数 文件大小 规格书
3页 76K
描述
For Power Amplification And Switching

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2SB0938 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

2SB0938 数据手册

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Power Transistors  
2SB0938 (2SB938), 2SB0938A (2SB938A)  
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington  
Unit: mm  
8.5 0.2  
3.4 0.3  
For power amplification and switching  
6.0 0.2  
1.0 0.1  
Complementary to 2SD1261, 2SD1261A  
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE  
0 to 0.4  
• High-speed switching  
R = 0.5  
R = 0.5  
1.0 0.1  
0.8 0.1  
• N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the  
printed circuit board, etc. of small electronic equipment.  
2.54 0.3  
1.4 0.1  
0.4 0.1  
5.08 0.5  
(8.5)  
(6.0)  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
1.3  
1
2
3
Parameter  
Symbol  
Rating  
−60  
Unit  
2SB0938  
2SB0938A  
2SB0938  
2SB0938A  
VCBO  
V
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
−80  
(6.5)  
VCEO  
−60  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
−80  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
−5  
V
A
N-G1 Package  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
−4  
Note) Self-supported type package is also prepared.  
Peak collector current  
Collector power dissipation  
−8  
A
Internal Connection  
40  
W
C
Ta = 25°C  
1.3  
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
E
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
−60  
−80  
Typ  
Max  
Unit  
2SB0938  
VCEO  
IC = −30 mA, IB = 0  
V
Collector-emitter voltage  
(Base open)  
2SB0938A  
Base-emitter voltage  
VBE  
ICBO  
VCE = −3 V,IC = −3 A  
VCB = −60 V,IE = 0  
VCB = −80 V,IE = 0  
VCE = −30 V,IB = 0  
VCE = −40 V,IB = 0  
VEB = −5 V,IC = 0  
−2.5  
−200  
−200  
−500  
−500  
−2  
V
2SB0938  
2SB0938A  
2SB0938  
2SB09378  
µA  
Collector-base cutoff  
current (Emitter open)  
ICEO  
µA  
Collector-emitter cutoff  
current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IEBO  
hFE1  
mA  
VCE = −3 V, IC = −0.5 A  
VCE = −3 V, IC = −3 A  
1000  
2000  
*
hFE2  
10 000  
−2  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = −3 A, IB = −12 mA  
IC = −5 A, IB = −20 mA  
V
−4  
Transition frequency  
Turn-on time  
Strage time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = −10 V, IC = −0.5 A, f = 1 MHz  
15  
0.3  
2
MHz  
µs  
IC = −3 A,  
IB1 = −12 mA, IB2 = 12 mA  
VCC = −50 V  
µs  
Fall time  
0.5  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
P
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
hFE1  
2000 to 5000 4000 to 10000  
Publication date: March 2003  
SJD00019BED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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