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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3 pF | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 135 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 90 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA811A-LC15 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-LC16 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-LC18 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-T1B | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-T1B-A | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistors, MM, / |
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| 2SA811A-T1BC15 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-T1BC16 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-T1BC17 | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLAST |
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| 2SA811A-T2B | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIM |
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| 2SA811A-T2B-A | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistors, MM, / |
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